Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ BLF8G27LS-140V,112

Изображение служит лишь для справки






BLF8G27LS-140V,112
-
Ampleon USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- SOT-1120B
- RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Корпус / Кейс:SOT-1120B
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Номинальное напряжение:65V
- Уровень применения:Military grade
- Пакетирование:Tray
- Опубликовано:2011
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:QUAD
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Частота:2.63GHz~2.69GHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:BLF8G27
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:R-CQFP-X6
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Ток - испытание:1.3A
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип транзистора:LDMOS
- Увеличение:17.4dB
- Минимальная напряжённость разрушения:65V
- Выводная мощность:45W
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание:32V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000