
Изображение служит лишь для справки






MMBFJ310LT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ310LT1G - TRANSISTOR, JFET, N, 25V, SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 75000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Вес:1.437803g
- Пороговая напряжённость / В:25V
- Количество элементов:1
- Уровень применения:Military grade
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2000
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:25V
- Максимальная потеря мощности:225mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:60mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:MMBFJ310
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Распад мощности:225mW
- Ток - испытание:10mA
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Без галогенов:Halogen Free
- Напряжение стока-исток (Vdss):25V
- Тип транзистора:N-Channel JFET
- Непрерывный ток стока (ID):60mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Увеличение:12dB
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Напряжение - испытание:10V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):2.5 pF
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Высота:940μm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.3mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 75000
Итого $0.00000