(0)
Изображение служит лишь для справки
MMBFJ309LT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- ON SEMICONDUCTOR - MMBFJ309LT1G - JFET Transistor, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
Date Sheet
Lagernummer 200000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Вес：1.437803g
- Пороговая напряжённость / В：-25V
- Количество элементов：1
- Уровень применения：Military grade
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-25V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：30mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：MMBFJ309
- Число контактов：3
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Распад мощности：225mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Без галогенов：Halogen Free
- Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
- Тип транзистора：N-Channel JFET
- Непрерывный ток стока (ID)：10mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
- Входной ёмкости：5pF
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Высота：1.016mm
- Длина：3.0226mm
- Ширина：1.397mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 200000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
