(0)
Изображение служит лишь для справки
IGB50N60TATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 4665
- 1+： $5.04871
- 10+： $4.76293
- 100+： $4.49333
- 500+： $4.23899
- 1000+： $3.99905
Zwischensummenbetrag $5.04871
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 50A, 7 Ω, 15V
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchStop®
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：*GB50N60
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：333W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：100A
- Время включения：60 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：396 ns
- Тип ИGBT：Trench
- Зарядная мощность：310nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：26ns/299ns
- Переключаемый энергопотребление：2.6mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 4665
- 1+： $5.04871
- 10+： $4.76293
- 100+： $4.49333
- 500+： $4.23899
- 1000+： $3.99905
Итого $5.04871
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
