(0)
Изображение служит лишь для справки
NGB8204NT4
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 430V 18A 115W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 32500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：430V
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：400V
- Максимальная потеря мощности：115W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：235
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：18A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：NGB8204
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Время подъёма макс：7000ns
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Распад мощности：115W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Logic
- Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.5V
- Максимальный ток сбора：18A
- Время включения：5200 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 4V, 15A
- Время выключения (toff)：13000 ns
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：50A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：18V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：1.9V
- Время падения максимальное (tf)：15000ns
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 32500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
