(0)
Изображение служит лишь для справки
FGB40T65SPD-F085
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 13090
- 1+： $4.65475
- 10+： $4.39127
- 100+： $4.14271
- 500+： $3.90822
- 1000+： $3.68700
Zwischensummenbetrag $4.65475
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：80A
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 40A, 6 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2013
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：267W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Время обратной рекомпенсации：34ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650V
- Время включения：49 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 40A
- Время выключения (toff)：51 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：36nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/35ns
- Переключаемый энергопотребление：970μJ (on), 280μJ (off)
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 13090
- 1+： $4.65475
- 10+： $4.39127
- 100+： $4.14271
- 500+： $3.90822
- 1000+： $3.68700
Итого $4.65475
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
