FGL40N120ANDTU

Name: ON Semiconductor FGL40N120ANDTU
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (9 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-264-3, TO-264AA
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Rail
Date Sheet

Lagernummer 50000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-264-3, TO-264AA
Количество контактов：3
Вес：6.756g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
Количество элементов：1
Условия испытания：600V, 40A, 5 Ω, 15V
Время отключения：110 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：1.2kV
Максимальная потеря мощности：500W
Моментальный ток：64A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：500W
Входной тип：Standard
Время задержки включения：15 ns
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：20ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
Максимальный ток сбора：64A
Время обратной рекомпенсации：112 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
Время включения：45 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 40A
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Прямоходящий ток коллектора：64A
Время выключения (toff)：165 ns
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：220nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：160A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：15ns/110ns
Переключаемый энергопотребление：2.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Высота：29mm
Длина：20mm
Ширина：5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 50000

Итого $0.00000