IRGP50B60PDPBF

Name: Infineon Technologies IRGP50B60PDPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (8 reviews)

Lagernummer 1500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：38.000013g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：390V, 33A, 3.3 Ω, 15V
Время отключения：140 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2004
Состояние изделия：Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：370W
Моментальный ток：75A
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：370W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：33 ns
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：26ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：75A
Время обратной рекомпенсации：50 ns
Код JEDEC-95：TO-247AC
Время включения：59 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.6V @ 15V, 50A
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Прямоходящий ток коллектора：75A
Время выключения (toff)：190 ns
Тип ИGBT：NPT
Зарядная мощность：240nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：34ns/130ns
Переключаемый энергопотребление：360μJ (on), 380μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
Время падения максимальное (tf)：65ns
Высота：24.99mm
Длина：15.87mm
Ширина：5.3086mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1500

Итого $0.00000