FGH60N60SMD

Name: ON Semiconductor FGH60N60SMD
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (6 reviews)

Lagernummer 900

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 60A, 3 Ω, 15V
Время отключения：146 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Максимальная потеря мощности：600W
Основной номер части：FGH60N60
Время подъёма макс：70ns
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：27 ns
Мощность - Макс：600W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：120A
Время обратной рекомпенсации：39 ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：59 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 60A
Время выключения (toff)：163 ns
Тип ИGBT：Field Stop
Зарядная мощность：189nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：180A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/104ns
Переключаемый энергопотребление：1.26mJ (on), 450μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Время падения максимальное (tf)：68ns
Высота：20.6mm
Длина：15.6mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 900

Итого $0.00000