(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF5812G
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：40
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：5000 MHz
- Артикул Производителя：MRF5812G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Microsemi Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.31
- Код упаковки компонента：SOIC
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：15 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：2 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
