(0)
Изображение служит лишь для справки
NE85619-T1-A
-
NEC
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- L Band Si NPN Rf Small Signal Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：12 V
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：12 V
- РХОС：Compliant
- Пакетирование：Tape and Reel
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная потеря мощности：100 mW
- Моментальный ток：100 mA
- Частота：4.5 GHz
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：100 mW
- Продуктивность полосы частот：4.5 GHz
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：12 V
- Максимальный ток сбора：100 mA
- Увеличение：9 dB
- Частота перехода：4.5 GHz
- Максимальное напряжение разрушения：12 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：20 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：3 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Ширина：800 µm
- Высота：750 µm
- Длина：1.6 mm
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
