(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF4427R1
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- Rf Trans NPN 20V 8DBGA
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：8
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：20 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：PLASTIC, SO-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：1300 MHz
- Артикул Производителя：MRF4427R1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Microsemi Corporation
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.82
- Пакетирование：Bulk
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：1.5 W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20 V
- Максимальный ток сбора：400 mA
- Увеличение：20 dB
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.5 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.4 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：20 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：3.4 pF
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
