Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APT70GR120L

Lagernummer 29

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
  • Поставщик упаковки устройства:TO-264
  • Диэлектрический пробой напряжение:1.2 kV
  • РХОС:Compliant
  • Пакет:Tube
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):160 A
  • Основной номер продукта:APT70GR120
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Условия испытания:600V, 70A, 4.3Ohm, 15V
  • Пакетная партия производителя:1
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 30 V, + 30 V
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:-
  • Пакетирование:Tube
  • Максимальная рабочая температура:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Подкатегория:IGBTs
  • Максимальная потеря мощности:961 W
  • Технология:Si
  • Конфигурация элемента:Single
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:961 W
  • Тип продукта:IGBT Transistors
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):3.2 V
  • Максимальный ток сбора:160 A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:3.2V @ 15V, 70A
  • Тип ИGBT:NPT
  • Зарядная мощность:544 nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):280 A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:33ns/278ns
  • Переключаемый энергопотребление:3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
  • Категория продукта:IGBT Transistors
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 29

Итого $0.00000