(0)
Изображение служит лишь для справки
APT102GA60B2
-
Microchip
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3 Variant
- IGBT 600V 183A 780W TO247
Date Sheet
Lagernummer 17
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3 Variant
- Монтаж：Through Hole
- Артикул Производителя：XTMCXFAL11
- Производитель：Cutler Hammer, Div of Eaton Corp
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：183 A
- Основной номер продукта：APT102
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Obsolete
- Условия испытания：400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
- Диэлектрический пробой напряжение：600 V
- РХОС：Compliant
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：780 W
- Технология：Si
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：780 W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：183 A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 62A
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：294 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：307 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：28ns/212ns
- Переключаемый энергопотребление：1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 17
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
