(0)
Изображение служит лишь для справки
APT30GP60BDQ1G
-
Microchip
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT 600V 100A 463W TO247
Date Sheet
Lagernummer 116
- 1+： $7.10115
- 10+： $6.69920
- 100+： $6.32000
- 500+： $5.96226
- 1000+： $5.62478
Zwischensummenbetrag $7.10115
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- Пакет：JHSN_DRIV_VSD-II
- Артикул Производителя：VS017132B-SP300
- Производитель：Johnson Controls
- Монтаж：Panel
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 A
- Основной номер продукта：APT30GP60
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 30A, 5Ohm, 15V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：463 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Вес единицы：0.208116 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Бренд：Microchip Technology / Atmel
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Глубина：15.3125
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：463 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Максимальная частота：320 Hz
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 30A
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：90 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：13ns/55ns
- Переключаемый энергопотребление：260µJ (on), 250µJ (off)
- Номинальное входное напряжение (АК)：208 VAC
- Категория продукта：IGBT Transistors
- Ширина：9.40625
Со склада 116
- 1+： $7.10115
- 10+： $6.69920
- 100+： $6.32000
- 500+： $5.96226
- 1000+： $5.62478
Итого $7.10115
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
