Изображение служит лишь для справки






JAN2N5416S
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
- Поверхностный монтаж:NO
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-39 (TO-205AD)
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:JAN2N5416S
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента:TO-5
- Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
- Ранг риска:5.2
- Количество элементов:1
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff):10000 ns
- Время включения макс. (ton):1000 ns
- Расписание В:8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
- РХОС:Non-Compliant
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1 A
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Discontinued at Digi-Key
- Пакетирование:Bulk
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/485
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура:200 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности:750 mW
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:MIL-19500/485H
- Код JESD-30:O-MBCY-W4
- Квалификационный Статус:Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:750 mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300 V
- Максимальный ток сбора:1 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 50mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA
- Код JEDEC-95:TO-5
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2V @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):300 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):350 V
- Максимальный ток коллектора (IC):1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:300 V
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 31
Итого $0.00000