(0)
Изображение служит лишь для справки
JAN2N5416S
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-39 Bag
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 month ago)
- Поверхностный монтаж：NO
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：JAN2N5416S
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：TO-5
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
- Ранг риска：5.2
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff)：10000 ns
- Время включения макс. (ton)：1000 ns
- Расписание В：8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Discontinued at Digi-Key
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/485
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности：750 mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/485H
- Код JESD-30：O-MBCY-W4
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：750 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300 V
- Максимальный ток сбора：1 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 50mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Код JEDEC-95：TO-5
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：300 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：350 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：300 V
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
