(0)
Изображение служит лишь для справки
JAN1N6622U
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：JAN1N6622U
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Описание пакета：O-LELF-R2
- Ранг риска：5.71
- Максимальное напряжение включения：1.4 V
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：GLASS
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：LONG FORM
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- РХОС：Non-Compliant
- Пакетная партия производителя：1
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Применение：ULTRA FAST RECOVERY
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
- Положение терминала：END
- Форма вывода：WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：MIL
- Код JESD-30：O-LELF-R2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Выводная мощность-макс：1.2 A
- Количество фаз：1
- Максимальное обратное напряжение：600 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете：20 A
- Время обратной восстановительной максимальная：0.03 µs
- Категория продукта：Microchip Technology
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
