(0)
Изображение служит лишь для справки
JAN2N3501
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Поставщик упаковки устройства：TO-39 (TO-205AD)
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：JAN2N3501
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：BCY
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Ранг риска：1.51
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff)：1150 ns
- Время включения макс. (ton)：115 ns
- Полярность транзистора：NPN
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：1 W
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора：300 mA
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：150 V
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：300 mA
- Основной номер продукта：2N3501
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/366
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Нормативная Марка：MIL-19500/366K
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：5
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：1 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA (ICBO)
- Код JEDEC-95：TO-205AD
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 15mA, 150mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：150 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：150 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Прямоходящий ток коллектора：300
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：150 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 45
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
