Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT8052BFLLG
Изображение служит лишь для справки






APT8052BFLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, FREDFET, 800V, 0.52_OHM, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:800 V
- Id - Непрерывный ток разряда:15 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:520 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Зарядная характеристика ворот:75 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:298 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.211644 oz
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT8052
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:15A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Артикул Производителя:APT8052BFLLG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска:2.09
- Максимальный ток утечки (ID):15 A
- Пакетирование:Tube
- Серия:POWER MOS 7®
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:520mOhm @ 7.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2035 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:75 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):800 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-247
- Максимальный сливовой ток (ID):15 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.52 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:60 A
- Минимальная напряжённость разрушения:800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1210 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):298 W
- Характеристика ТРП:-
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):60 pF
Со склада 31
Итого $0.00000