Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5016BLLG
Изображение служит лишь для справки






APT5016BLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:160 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Зарядная характеристика ворот:72 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:329 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Время задержки отключения типичного:27 ns
- Время типичного задержки включения:10 ns
- Вес единицы:0.211644 oz
- Прямоходящий ток вывода Id:30
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT5016
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:329W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:APT5016BLLG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.11
- Код упаковки компонента:TO-247AD
- Максимальный ток утечки (ID):30 A
- Пакетирование:Tube
- Серия:APT5016
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:329
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:160mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2833 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:72 nC @ 10 V
- Время подъема:10 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Код JEDEC-95:TO-247AD
- Сопротивление открытого канала-макс:0.16 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:120 A
- Минимальная напряжённость разрушения:500 V
- Канальный тип:N
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1300 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 49
Итого $0.00000