(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT20M18B2VRG
Изображение служит лишь для справки
APT20M18B2VRG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
- Монтажные варианты：Through Hole
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.211644 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT20M18
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：200 V
- РХОС：Compliant
- Время отключения：55 ns
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS V®
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Моментальный ток：100 A
- Распад мощности：625 W
- Время задержки включения：18 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9880 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：330 nC @ 10 V
- Время подъема：27 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Непрерывный ток стока (ID)：100 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Входной ёмкости：9.88 nF
- Характеристика ТРП：-
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 12
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
