Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APT50GT120B2RG

Lagernummer 43

  • 1+: $14.59980
  • 10+: $13.77340
  • 100+: $12.99377
  • 500+: $12.25828
  • 1000+: $11.56441

Zwischensummenbetrag $14.59980

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • РХОС:Details
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1.2 kV
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 30 V, + 30 V
  • Распад мощности:625 W
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Пакет:Tube
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):94 A
  • Основной номер продукта:APT50GT120
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Условия испытания:800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:Thunderbolt IGBT®
  • Конфигурация:Single
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:625 W
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:3.7V @ 15V, 50A
  • Тип ИGBT:NPT
  • Зарядная мощность:340 nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):150 A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:24ns/230ns
  • Переключаемый энергопотребление:2330µJ (off)

Со склада 43

  • 1+: $14.59980
  • 10+: $13.77340
  • 100+: $12.99377
  • 500+: $12.25828
  • 1000+: $11.56441

Итого $14.59980