Изображение служит лишь для справки






APT50GT120B2RG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 43
- 1+: $14.59980
- 10+: $13.77340
- 100+: $12.99377
- 500+: $12.25828
- 1000+: $11.56441
Zwischensummenbetrag $14.59980
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1.2 kV
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 30 V, + 30 V
- Распад мощности:625 W
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Пакетная партия производителя:1
- Пакет:Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic):94 A
- Основной номер продукта:APT50GT120
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Условия испытания:800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:Thunderbolt IGBT®
- Конфигурация:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:625 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:3.7V @ 15V, 50A
- Тип ИGBT:NPT
- Зарядная мощность:340 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):150 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:24ns/230ns
- Переключаемый энергопотребление:2330µJ (off)
Со склада 43
- 1+: $14.59980
- 10+: $13.77340
- 100+: $12.99377
- 500+: $12.25828
- 1000+: $11.56441
Итого $14.59980