(0)
Изображение служит лишь для справки
APT45GR65B2DU30
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Date Sheet
Lagernummer 1966
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
- Распад мощности：543 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：1
- Диэлектрический пробой напряжение：650 V
- Пакетирование：Tube
- Максимальная потеря мощности：543 W
- Конфигурация：Single
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.4 V
- Максимальный ток сбора：118 A
- Время обратной рекомпенсации：80 ns
Со склада 1966
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
