(0)
Изображение служит лишь для справки
APT25GR120BD15
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：521 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：75 A
- Пакетная партия производителя：1
- Торговое наименование：Ultra Fast NPT-IGBT
- Вес единицы：1.340411 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：75 A
- Основной номер продукта：APT25GR120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：521
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：521 W
- Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 150 C
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 25A
- Прямоходящий ток коллектора：75 A
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：203 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：100 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/122ns
- Переключаемый энергопотребление：742µJ (on), 427µJ (off)
- Высота：5.31 mm
- Длина：21.46 mm
- Ширина：16.26 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
