(0)
Изображение служит лишь для справки
APT100GT120JR
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- ISOTOP-4
- IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：ISOTOP-4
- Вид крепления：Chassis Mount
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Распад мощности：570 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Пакетная партия производителя：1
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：123 A
- Основной номер продукта：APT100
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2 kV
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：Thunderbolt IGBT®
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：570 W
- Конфигурация：Single
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：570 W
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2 kV
- Максимальный ток сбора：123 A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Входной ёмкости：6.7 nF
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.7V @ 15V, 100A
- Тип ИGBT：NPT
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：6.7 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Carbide Modules
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 29
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
