(0)
Изображение служит лишь для справки
APT85GR120B2
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- TO-247-3
- IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 51
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Распад мощности：962 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：30 V
- Монтажные варианты：Through Hole
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.211644 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：170 A
- Основной номер продукта：APT85GR120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：962
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：962 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 85A
- Прямоходящий ток коллектора：170
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：660 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：340 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：43ns/300ns
- Переключаемый энергопотребление：6mJ (on), 3.8mJ (off)
- Продукт：IGBT Silicon Modules
Со склада 51
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
