(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT10026L2FLLG
Изображение служит лишь для справки
APT10026L2FLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3
- MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264 MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 33000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：264 MAX™ [L2]
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
- Id - Непрерывный ток разряда：38 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：260 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：267 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：893 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：39 ns
- Время типичного задержки включения：17 ns
- Вес единицы：0.352740 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：38
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT10026
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：38A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：APT10026L2FLLG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.28
- Максимальный ток утечки (ID)：38 A
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS 7®
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：893
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：260mOhm @ 19A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7114 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：267 nC @ 10 V
- Время подъема：8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Код JEDEC-95：TO-264AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：38 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.26 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：152 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：3200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：893 W
- Характеристика ТРП：-
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：224 pF
Со склада 33000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
