Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT38N60BC6
Изображение служит лишь для справки






APT38N60BC6
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V, 38A, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Id - Непрерывный ток разряда:38 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:99 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Зарядная характеристика ворот:112 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:278 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Время задержки отключения типичного:118 ns
- Время типичного задержки включения:14 ns
- Вес единицы:0.211644 oz
- Прямоходящий ток вывода Id:38
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT38N60
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:38A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:278W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:CoolMOS™
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:278
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:99mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 1.2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2826 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:112 nC @ 10 V
- Время подъема:29 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
- Высота:5.31 mm
- Длина:21.46 mm
- Ширина:16.26 mm
Со склада 9000
Итого $0.00000