(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT30N60BC6
Изображение служит лишь для справки
APT30N60BC6
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V, 30A, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：125 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
- Зарядная характеристика ворот：88 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：219 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：74 ns
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Прямоходящий ток вывода Id：30
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT30N60
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：219W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：CoolMOS™
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：219
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 14.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 960µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2267 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：88 nC @ 10 V
- Время подъема：17 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 9000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
