APT17F100B

Name: Microchip Technology APT17F100B
Brand: Microchip Technology
Rating: 5 (18 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 34

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
Id - Непрерывный ток разряда：17 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：670 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Зарядная характеристика ворот：150 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：625 W
Режим канала：Enhancement
Торговое наименование：Power MOS 8
Минимальная прямая транконductанс：19 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：105 ns
Время типичного задержки включения：29 ns
Вес единицы：0.211644 oz
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT17F100
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：17A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：625W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：800mOhm @ 9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4845 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150 nC @ 10 V
Время подъема：31 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Характеристика ТРП：-
Высота：5.31 mm
Длина：21.46 mm
Ширина：16.26 mm

Со склада 34

Итого $0.00000