APT26F120B2

Name: Microchip Technology APT26F120B2
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.8 (13 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
T-MAX-3
MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：T-MAX-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：T-MAX™
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
Id - Непрерывный ток разряда：27 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：480 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Зарядная характеристика ворот：300 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：1.135 kW
Режим канала：Enhancement
Торговое наименование：Power MOS 8
Минимальная прямая транконductанс：31 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：170 ns
Время типичного задержки включения：50 ns
Вес единицы：0.208116 oz
Прямоходящий ток вывода Id：27
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT26F120
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：27A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：1135W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：1.135
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：650mOhm @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9670 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：300 nC @ 10 V
Время подъема：31 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Высота：5.31 mm
Длина：21.46 mm
Ширина：16.26 mm

Со склада 23

Итого $0.00000