(0)
Изображение служит лишь для справки
APT65GP60B2G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 65A, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 140
- 1+： $14.67510
- 10+： $13.84444
- 100+： $13.06079
- 500+： $12.32150
- 1000+： $11.62405
Zwischensummenbetrag $14.67510
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：833 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：1.340411 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 A
- Основной номер продукта：APT65GP60
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 65A, 5Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：833 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 65A
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：210 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：250 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：30ns/91ns
- Переключаемый энергопотребление：605µJ (on), 896µJ (off)
Со склада 140
- 1+： $14.67510
- 10+： $13.84444
- 100+： $13.06079
- 500+： $12.32150
- 1000+： $11.62405
Итого $14.67510
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
