(0)
Изображение служит лишь для справки
APT35GP120BG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 49
- 1+： $11.41223
- 10+： $10.76625
- 100+： $10.15684
- 500+： $9.58192
- 1000+： $9.03955
Zwischensummenbetrag $11.41223
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Распад мощности：543 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：1.340411 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：96 A
- Основной номер продукта：APT35GP120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 35A, 5Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：543
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：543 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.9V @ 15V, 35A
- Прямоходящий ток коллектора：96
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：150 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：140 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/94ns
- Переключаемый энергопотребление：750µJ (on), 680µJ (off)
Со склада 49
- 1+： $11.41223
- 10+： $10.76625
- 100+： $10.15684
- 500+： $9.58192
- 1000+： $9.03955
Итого $11.41223
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
