(0)
Изображение служит лишь для справки
APT35GP120B2DQ2G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 32
- 1+： $14.05569
- 10+： $13.26009
- 100+： $12.50952
- 500+： $11.80143
- 1000+： $11.13343
Zwischensummenbetrag $14.05569
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：1.340411 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：96 A
- Основной номер продукта：APT35GP120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
- Расписание В：8541290080/8541290080
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2 kV
- Номинальное напряжение (постоянное)：1.2 kV
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：543 W
- Моментальный ток：96 A
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：543 W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2 kV
- Максимальный ток сбора：96 A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.9V @ 15V, 35A
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：150 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：140 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/95ns
- Переключаемый энергопотребление：750µJ (on), 680µJ (off)
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 32
- 1+： $14.05569
- 10+： $13.26009
- 100+： $12.50952
- 500+： $11.80143
- 1000+： $11.13343
Итого $14.05569
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
