(0)
Изображение служит лишь для справки
APT40GL120JU3
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- ISOTOP-4
- IGBT Modules DOR CC0039View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：ISOTOP-4
- Вид крепления：Chassis, Stud Mount
- Монтаж：Chassis, Screw, Stud
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：SOT-227
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
- Распад мощности：220 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Пакетная партия производителя：1
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：65 A
- Основной номер продукта：APT40GL120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2 kV
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная потеря мощности：220 W
- Конфигурация：Single
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：220
- Мощность - Макс：220 W
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.25 V
- Максимальный ток сбора：65 A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Входной ёмкости：1.95 nF
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.25V @ 15V, 35A
- Прямоходящий ток коллектора：65
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：1.95 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
