(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BF2030E6814
Изображение служит лишь для справки
BF2030E6814
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-143
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-143
- Поверхностный монтаж：YES
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：8 V
- Распад мощности：200 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：6 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Depletion
- Партийные обозначения：SP000012219 BF2030E6814HTSA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：40 mA
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BF2030-E6814
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.84
- Серия：BF2030
- Пакетирование：MouseReel
- Код ECCN：EAR99
- Тип：RF Small Signal MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация：Single Dual Gate
- Режим работы：DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：RF MOSFET Transistors
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.04 A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Категория продукта：RF MOSFET Transistors
- Ширина：1.3 mm
- Высота：1 mm
- Длина：2.9 mm
Со склада 9000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
