(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FCPF190N60E_F152
Изображение служит лишь для справки
FCPF190N60E_F152
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：FCPF190N60E-F152
- Время включения макс. (ton)：94 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Время отключения макс. (toff)：252 ns
- Ранг риска：5.18
- Максимальный ток утечки (ID)：20.6 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：20.6 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.19 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：61.8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：39 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：165 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
