(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK3699-01MR
Изображение служит лишь для справки
2SK3699-01MR
-
Fuji
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 900V, 4.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 270
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：2SK3699-01MR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fuji Electric Co Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Ранг риска：5.72
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：3.7 A
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：4.3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：14.8 A
- Минимальная напряжённость разрушения：900 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：171.1 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 270
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
