(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6509ENXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6509ENXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Date Sheet
Lagernummer 901
- 1+： $1.41687
- 10+： $1.33667
- 100+： $1.26101
- 500+： $1.18964
- 1000+： $1.12230
Zwischensummenbetrag $1.41687
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：48W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：24 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：585 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：9 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：48W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：585mOhm @ 2.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 230μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：430 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
Со склада 901
- 1+： $1.41687
- 10+： $1.33667
- 100+： $1.26101
- 500+： $1.18964
- 1000+： $1.12230
Итого $1.41687
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
