(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA123ECAHZGT116
Изображение служит лишь для справки
DTA123ECAHZGT116
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- DTA123ECAHZG IS THE HIGH RELIABI
Date Sheet
Lagernummer 2987
- 1+： $0.22869
- 10+： $0.21575
- 100+： $0.20353
- 500+： $0.19201
- 1000+： $0.18115
Zwischensummenbetrag $0.22869
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SST3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：Single PNP
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Распад мощности：350 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Типовой входной резистор：2.2 kOhms
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：DTA123ECAHZG
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальная частота работы：250 MHz
- РХОС：Details
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：DTA123ECAHZGT116
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Ранг риска：1.53
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Cut Tape
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Выводной напряжение：300 mV
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：200mW
- Мощность - Макс：200 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 20mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- База (R1)：2.2 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 2987
- 1+： $0.22869
- 10+： $0.21575
- 100+： $0.20353
- 500+： $0.19201
- 1000+： $0.18115
Итого $0.22869
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
