Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN2313,LF
Изображение служит лишь для справки






RN2313,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
Date Sheet
Lagernummer 3018
- 1+: $0.13061
- 10+: $0.12322
- 100+: $0.11624
- 500+: $0.10966
- 1000+: $0.10346
Zwischensummenbetrag $0.13061
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:SC-70
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Полярность транзистора:PNP
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:100 mW
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:120
- Вес единицы:0.000212 oz
- Типовой входной резистор:47 kOhms
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора:100 mA
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
- Максимальная частота работы:200 MHz
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Серия:-
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:Transistors
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:100 mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:200 MHz
- База (R1):47 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора:100
- Категория продукта:Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 3018
- 1+: $0.13061
- 10+: $0.12322
- 100+: $0.11624
- 500+: $0.10966
- 1000+: $0.10346
Итого $0.13061