RN2313,LF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage RN2313,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Price: 0.1306116 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (8 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
SC-70, SOT-323
PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
Date Sheet

Lagernummer 3018

1+： $0.13061
10+： $0.12322
100+： $0.11624
500+： $0.10966
1000+： $0.10346

Zwischensummenbetrag $0.13061

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：SC-70
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
Состояние продукта：Active
Пакет：Tape & Reel (TR)
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Полярность транзистора：PNP
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：100 mW
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120
Вес единицы：0.000212 oz
Типовой входной резистор：47 kOhms
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Максимальный постоянный ток сбора коллектора：100 mA
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
Максимальная частота работы：200 MHz
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
Серия：-
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：Transistors
Конфигурация：Single
Мощность - Макс：100 mW
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：200 MHz
База (R1)：47 kOhms
Прямоходящий ток коллектора：100
Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased

Со склада 3018

1+： $0.13061
10+： $0.12322
100+： $0.11624
500+： $0.10966
1000+： $0.10346

Итого $0.13061