(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA043XMT2L
Изображение служит лишь для справки
DTA043XMT2L
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Date Sheet
Lagernummer 17523
- 1+： $0.16580
- 10+： $0.15641
- 100+： $0.14756
- 500+： $0.13921
- 1000+： $0.13133
Zwischensummenbetrag $0.16580
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：VMT3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Характеристика Коэффициент резистора：0.47
- Формат упаковки：VMT
- Типовой входной резистор：4.7
- Коллекторный ток (постоянный)：0.1(A)
- Максимальное напряжение эмиттора-коллектора：50(V)
- Уголок постоянного тока：35
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：Single PNP
- Распад мощности：150 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：DTA043XM
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальная частота работы：250 MHz
- РХОС：Details
- Ранг риска：1.66
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：DTA043XMT2L
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Рохс Код：Yes
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
- Серия：DTA043X
- Пакетирование：Tape and Reel
- Код ECCN：EAR99
- Тип：PNP
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 2.1
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-F3
- Выводной напряжение：150 mV
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：0.15(W)
- Мощность - Макс：150 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：35 @ 5mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：35
- База (R1)：4.7 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 17523
- 1+： $0.16580
- 10+： $0.15641
- 100+： $0.14756
- 500+： $0.13921
- 1000+： $0.13133
Итого $0.16580
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
