(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные NTE2369
Изображение служит лишь для справки
NTE2369
-
NTE Electronics, Inc
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- T-NPN SI DIGITAL 4.7K/47K
Date Sheet
Lagernummer 72
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-92S
- Вес：4.535924 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Пакет：Bag
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Артикул Производителя：NTE2369
- Производитель：NTE Electronics
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.17
- Код упаковки компонента：TO-92
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：80
- База (R1)：4.7 kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Ширина：101.6 mm
- Высота：6.35 mm
- Длина：152.4 mm
Со склада 72
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
