(0)
Изображение служит лишь для справки
MG25Q6ES50A
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, 2-108E2A, 17 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：17
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Время включения (тон)：150 ns
- Время отключения (toff)：600 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：MG25Q6ES50A
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：6
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.8
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-XUFM-X17
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：200 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：35 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.6 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：200 W
- Время падения максимальное (tf)：300 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
