(0)
Изображение служит лишь для справки
CMPT3904ETR
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Вес：200.998119 mg
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：200mA
- Диэлектрический пробой напряжение：40 V
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：SOT-23, 3 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Траниционный частотный предел (fT)：300 MHz
- Артикул Производителя：CMPT3904ETR
- Время включения макс. (ton)：70 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Central Semiconductor Corp
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Время отключения макс. (toff)：250 ns
- Ранг риска：5.15
- Код упаковки компонента：SOT-23
- Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：--
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：350 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：350mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：300 MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：200 mV
- Максимальный ток сбора：200 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 10mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：--
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：200mV @ 5mA, 50mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
- Частота перехода：300 MHz
- Максимальное напряжение разрушения：40 V
- Частота - Переход：300MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.35 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
- Ширина：1.4 mm
- Высота：960 µm
- Длина：3.05 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
