(0)
Изображение служит лишь для справки
RN1115MFV(TPL3)
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Digital Transistors 2.2Kohms x 10Kohms
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Характеристика Коэффициент резистора：0.22
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
- Типовой входной резистор：2.2 kOhms
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Диэлектрический пробой напряжение：50 V
- Минимальная частота работы в герцах：50
- Серия：RN1115MFV
- Пакетирование：MouseReel
- Тип：NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Подкатегория：Transistors
- Максимальная потеря мощности：150 mW
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：150 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50 V
- Максимальный ток сбора：100 mA
- Диапазон рабочей температуры：- 65 C to + 150 C
- Частота перехода：250 MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Ширина：0.5 mm
- Высота：1.2 mm
- Длина：1.2 mm
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
