(0)
Изображение служит лишь для справки
IRG4MC50USCX
-
Infineon
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Монтаж：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Артикул Производителя：IRG4MC50USCX
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.59
- Пакетирование：Bulk
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-XSFM-P3
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：35 A
- Код JEDEC-95：TO-254AA
- Максимальный ток коллектора (IC)：35 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
