(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE2347
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-39
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE2347
- Производитель：NTE Electronics
- Диэлектрический пробой напряжение：80 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：80 V
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：5.74
- Код упаковки компонента：TO-39
- Рабочая температура：200°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：1 W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：5 A
- Число контактов：3
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：7 W
- Мощность - Макс：1 W
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Максимальный ток сбора：5 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 2A, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Код JEDEC-95：TO-39
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 500mA, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота перехода：50 MHz
- Частота - Переход：50MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：150 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：4 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
- Ширина：76.2 mm
- Высота：6.604 mm
- Длина：152.4 mm
- Диаметр：9.39 mm
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
