(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE2392
Изображение служит лишь для справки
NTE2392
-
NTE Electronics, Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-204AA, TO-3
- Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, TO-3, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 632
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：2
- Поставщик упаковки устройства：TO-3
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Время отключения：125 ns
- Артикул Производителя：NTE2392
- Производитель：NTE Electronics
- Непрерывный ток стока：40(A)
- Дrain-Source On-Volt：100(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-3
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Through Hole
- Пакет：Bag
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Максимальная мощность рассеяния：150W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Время включения макс. (ton)：135 ns
- Форма упаковки：ROUND
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Время отключения макс. (toff)：225 ns
- Ранг риска：1.6
- Код упаковки компонента：TO-204AA
- Максимальный ток утечки (ID)：40 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Power MOSFET
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Максимальная потеря мощности：150 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2 +Tab
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：N
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：150 W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：35 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3000 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：120 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：40 A
- Пороговое напряжение：4 V
- Код JEDEC-95：TO-3
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：32 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.055 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：100 V
- Максимальный импульсный ток вывода：160 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：125 W
- Характеристика ТРП：-
- Сопротивление стока к истоку：55 mΩ
- Номинальное Vgs：4 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
- Ширина：22.1996 mm
- Высота：8.89 mm
- Длина：152.4 mm
- REACH SVHC：Unknown
Со склада 632
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
