(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7469TRPBF-1
Изображение служит лишь для справки
IRF7469TRPBF-1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 360000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SOP-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRF7469TRPBF-1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.3
- Максимальный ток утечки (ID)：9 A
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.017 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 360000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
